Samsung E.: sceglie Xian per nuovo impianto memorie flash

SEUL (MF-DJ)–Samsung Electronics, il maggior produttore di chip di memoria, ha scelto la citta’ cinese di Xian per il suo progetto di un nuovo impianto produttivo di memorie flash.
“Le negoziazioni sono in una fase preliminare e qualsiasi accordo sara’ soggetto ad approvazione delle agenzie del governo cinese”, ha riferito Samsung in un comunicato. All’inizio di gennaio, il governo sud-coreano ha concesso l’autorizzazione a Samsung per procedere con il progetto.
“L’anno scorso, la multinazionale coreana ha presentato il piano per costruire un nuovo impianto di memorie flash NAND in Cina per soddisfare l’aumento della domanda per dispositivi portatili come smartphone e tablet. La produzione presso il nuovo impianto e’ prevista inizi nella seconda meta’ del 2013”.

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